一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法

一、成果基本信息

二、成果簡(jiǎn)介

    本發(fā)明公開(kāi)了一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法：以含有MnO的Mn靶材作為原料，在Si襯底上通過(guò)磁控濺射的方法制備薄膜，構(gòu)成“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結(jié)構(gòu)樣品，進(jìn)而在真空條件下高溫退火。基于該工藝辦法，通過(guò)控制“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結(jié)構(gòu)中的Si薄膜中間層濺射時(shí)間，可以完全消除掉本來(lái)含量占比很大的MnO，獲得單一相的高錳硅薄膜材料。

三、成果轉(zhuǎn)化預(yù)期：

可顯著降低獲得高錳硅薄膜對(duì)原料、儲(chǔ)存及工藝條件的要求，使得高錳硅薄膜的制備更為簡(jiǎn)單，產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)成本降低，生產(chǎn)效率得到提高。

特別聲明

1.本公告僅對(duì)成果進(jìn)行推介，接受意向方咨詢與洽談，以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。

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