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一種三維功率VDMOS器件及其集成方法(預(yù)披露)

2024-12-02
項目名稱:一種三維功率VDMOS器件及其集成方法
項目編號:QYZS-XK-2024-00262
掛牌價格: --
掛牌時間:2024-12-02 至 2024-12-31

一種三維功率VDMOS器件及其集成方法

 

一、成果基本信息

成果基本信息

成果名稱

一種三維功率VDMOS器件及其集成方法

成果所屬單位

貴州大學(xué)

成果所屬領(lǐng)域

先進(jìn)制造與自動化

成果關(guān)鍵詞

三維集成 ;功率器件  ; 集成方法  

成果所屬學(xué)科

集成電路技術(shù)

交易方式

面議

二、成果簡介

    本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)的VDMOS器件采用平面集成工藝存在的器件面積隨著電流容量增大而增大,嚴(yán)重影響功率系統(tǒng)的集成度,同時信號延遲時間及互連線功耗比重也將越來越大等技術(shù)問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是設(shè)計一種三維功率VDMOS器件及其集成方法,它包括功率單元和芯片層,所述芯片層有二個以上,每個芯片層上均勻分布有二個以上的功率單元,每個功率單元外圍設(shè)置有獨立的終端,每個功率單元外圍設(shè)置有層間導(dǎo)電互連的TSV通孔,各個芯片層堆疊在一起形成三維功率VDMOS器件。所述功率單元外圍設(shè)置有散熱的TSV通孔。每個芯片層之間有絕緣介質(zhì)層,所述絕緣介質(zhì)層為二氧化硅。各個芯片層間的空隙處有填充膠。所述的各個功率單元外圍都設(shè)置有獨立的終端,所述終端為場限環(huán)結(jié)構(gòu)。TSV通孔上方設(shè)有凸點。所述三維功率VDMOS器件采用雙層金屬布線結(jié)構(gòu)。

 

特別聲明

 

1.本公告僅對成果進(jìn)行推介,接受意向方咨詢與洽談,以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。

2.貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所通過自身網(wǎng)站及相關(guān)媒體發(fā)布的項目信息并不構(gòu)成貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所對任何項目的任何交易建議。意向方應(yīng)不依賴于已披露的上述信息并自行對項目的相關(guān)情況進(jìn)行必要的盡職調(diào)查和充分了解

項目聯(lián)系人 趙經(jīng)理  

聯(lián) 話:15085914974